[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 201310258481.1 | 申请日： | 2009-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103400917A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体发光器件。半导体发光器件包括：第一导电半导体层；第一导电半导体下的有源层；有源层下的第二导电半导体层；第二导电半导体层下的第二电极层；以及在第二导电半导体层和第二电极层之间的至少一部分处的透射导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：支撑层(160)；在所述支撑层上且包括第一部分和第二部分的第一电极层(155)，所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度薄；发光结构(140)，其包括n型半导体层(110)、p型半导体层(130)和在所述n型半导体层和所述p型半导体层之间且设置在所述第一电极层上的有源层(120)；在所述第一电极层的所述第二部分上且在所述第一电极层和所述p型半导体层之间的金属基导电层(151)；在所述n型半导体层上的第二电极层(170)；和具有通过蚀刻所述发光结构的外壁形成的沟槽的沟道区域(145)，其中所述第一电极层(155)的所述第一部分接触所述p型半导体层的底表面，其中所述金属基导电层(151)的内部部分(151B)接触所述p型半导体层的底表面，其中所述第一电极层(155)包括反射材料，其中所述n型半导体层(110)包括InGaN层和AlGaN层中的至少之一，所述p型半导体层(130)包括AlGaN层和InAlGaN层中的至少之一，并且所述有源层(120)包括InGaN层、AlGaN层和GaN层中的至少之一。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310258481.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：铜互连结构及其形成方法
- 下一篇：半导体集成器件及其制作方法
