[发明专利]半导体晶圆背面工艺和功率器件的形成方法在审
| 申请号： | 201310258539.2 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104253033A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王万礼;邓小社;王根毅;黄璇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C30B33/10 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体晶圆背面工艺和功率器件的形成方法。其中，所述半导体晶圆背面工艺包括：提供半导体晶圆；在所述半导体晶圆的正面贴膜；利用物理机械磨削工艺对所述半导体晶圆的背面进行机械减薄；对进行过机械减薄的半导体晶圆进行浸泡式腐蚀。本发明提供的半导体晶圆背面工艺中，在对半导体晶圆进行的浸泡式腐蚀中，对所述半导体晶圆背面各处的腐蚀量都是一致的，膜的拉力引起的半导体晶圆的变化对被各处腐蚀量没有影响，能够保证腐蚀后半导体晶圆厚度的均匀性，同时释放应力，能够避免半导体晶圆在剥膜后不发生翘曲，避免半导体晶圆在后续流通中发生碎片，保证晶圆后续工艺的正常流通。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 背面 工艺 功率 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆背面工艺，其特征在于，包括：提供半导体晶圆；在所述半导体晶圆的正面贴膜；利用物理机械磨削工艺对所述半导体晶圆的背面进行机械减薄；对进行过机械减薄的半导体晶圆进行浸泡式腐蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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