[发明专利]一种异质结、铁电隧道结及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201310258989.1 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103346255A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 杨锋;胡广达;武卫兵;杨长红;吴海涛 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 李桂存 |
| 地址： | 250022 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质结，包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜，所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体，所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。本发明还公开了一种铁电隧道结，包括上述异质结，所述异质结的铁电薄膜表面覆有上电极，异质结的铁电薄膜作为铁电隧道结的势垒层，异质结的衬底作为铁电隧道结的下电极。本发明还公开了它们的制备和应用。本发明异质结实现了钛酸锶与非本征硅的直接外延生长，表现出了稳定的极化翻转特性，制成隧道结可电调制势垒的高度而且可电调制势垒的宽度，从而大大提高了隧道电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 隧道 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种异质结，其特征是：包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜，所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体，所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。
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