[发明专利]一种ZP45B高Bs软磁铁氧体材料及其生产方法有效
| 申请号： | 201310259844.3 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103351158A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 李前军;沈建元;王晓祥;陆明兵;王步猛;陈维兆;蔡春桥;蒲成刚;王久如 | 申请（专利权）人： | 天长市中德电子有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26;C04B35/622 |
| 代理公司： | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人： | 刘勇 |
| 地址： | 239300 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZP45B高Bs软磁铁氧体材料及其生产方法，该配方组成与组成含量为：氧化铁：54.2～55.6mol%；氧化锰：37.8～39.5mol%；氧化锌：5.0～7.0mol%；氧化硅：50～80ppm；氧化钙：300～500ppm；氧化铌：200～400ppm；氧化钴：300～600ppm；氧化镍：2000～3000ppm；氧化锆：100～300ppm。本发明的ZP45B高Bs软磁铁氧体材料，Bs在25℃时550mT,100℃时450mT，能满足顾客要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zp45b bs 磁铁 材料 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种ZP45B高Bs软磁铁氧体材料，其特征在于，配方组成与组成含量为：氧化铁： 54.2～55.6mol%；氧化锰： 37.8～39.5mol%；氧化锌： 5.0～7.0mol%；氧化硅： 50～80ppm；氧化钙： 300～500ppm；氧化铌： 200～400ppm；氧化钴： 300～600ppm；氧化镍： 2000～3000ppm；氧化锆： 100～300ppm。
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