[发明专利]静电放电保护结构

摘要

一种静电放电保护结构，包括位于衬底内的阱区，阱区内具有第一导电类型的掺杂离子，阱区与接地端电连接；位于衬底内的第二掺杂区，第二掺杂区位于阱区表面，第二掺杂区内具有第二导电类型的掺杂离子，第二掺杂区的掺杂浓度高于阱区的掺杂浓度；位于衬底内的第一掺杂区，第一掺杂区位于第二掺杂区表面，且第一掺杂区的表面与衬底表面齐平，第一掺杂区内具有第一导电类型的掺杂离子，第一掺杂区与静电放电输入端电连接，第一掺杂区的掺杂浓度高于第二掺杂区的掺杂浓度，且第一掺杂区和第二掺杂区之间的掺杂浓度差小于第二掺杂区和阱区之间的掺杂浓度差。该静电放电保护结构的击穿电压低，保护能力提高。

主权项

一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：衬底；位于衬底内的阱区，所述阱区内具有第一导电类型的掺杂离子，所述阱区与接地端电连接；位于衬底内的第二掺杂区，所述第二掺杂区位于阱区表面，所述第二掺杂区内具有第二导电类型的掺杂离子，所述第二掺杂区的掺杂浓度高于阱区的掺杂浓度；位于衬底内的第一掺杂区，所述第一掺杂区位于第二掺杂区表面，且第一掺杂区的表面与衬底表面齐平，所述第一掺杂区内具有第一导电类型的掺杂离子，所述第一掺杂区与静电放电输入端电连接，所述第一掺杂区的掺杂浓度高于第二掺杂区的掺杂浓度，且第一掺杂区和第二掺杂区之间的掺杂浓度差小于第二掺杂区和阱区之间的掺杂浓度差，第二掺杂区和与静电放电输入端电连接的第一掺杂区构成PN结，构成PN结的第一掺杂区和第二掺杂区皆为重掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区之间的击穿电压决定了第一掺杂区、第二掺杂区和阱区构成的NPN双极结型晶体管的击穿电压；位于衬底内的隔离结构，所述隔离结构包围所述第一掺杂区和第二掺杂区，且所述隔离结构的底部低于第二掺杂区底部、或与第二掺杂区底部齐平。