[发明专利]远程大功率调频发射器

摘要

本发明提供了一种远程大功率调频发射器，其特征包括：12V直流电源、拾音电路、振荡频率调节电路、晶体管偏置电路、高频振荡电路、甲类功放及发射电路。本发明使用NPN型晶体管，利用变容二极管调节高频振荡电路的振荡频率,将声音信号调制成为调频波。因前级电路只使用一只NPN型晶体管，电路受到的牵扯和干扰少，使得高频振荡电路的频率比较稳定，适合用于课堂教学、文体娱乐等。试验证明：本发明使用普通分立元件制作的远程大功率调频发射器，实现了调频无线话筒电路结构简单，制作容易、高频振荡频率稳定、耗电少等目的，远程大功率调频发射器配合使用50Ω同轴电缆和八木天线，有效发射距离可达2000m。

主权项

一种远程大功率调频发射器，它包括12V直流电源、拾音电路、振荡频率调节电路、晶体管偏置电路、高频振荡电路、甲类功放及发射电路，其特征在于：所述的拾音电路由驻极体话筒MIC、电阻R1、耦合电容C1和电阻R2组成，驻极体话筒MIC的输出端D接电阻R1的一端和耦合电容C1的一端，耦合电容C1的另一端通过电阻R2接变容二极管D1的负极，驻极体话筒MIC的金属外壳端S与电路地GND相连，电阻R1的另一端接电路正极VCC；所述的振荡频率调节电路由线性电位器RP和变容二极管D1组成，线性电位器RP的一端接电路正极VCC，线性电位器RP的活动端接变容二极管D1的负极，线性电位器RP的另一端和变容二极管D1的正极接电路地GND；所述的晶体管偏置电路由NPN型晶体管VT1、电阻R3、电容C2和电阻R4组成，NPN型晶体管VT1的基极接电阻R2的一端、电容C2的一端和电阻R4的一端，电阻R3的另一端接电路正极VCC，电容C2的另一端和电阻R4的另一端接电路地GND；所述的高频振荡电路由NPN型晶体管VT1、电容C3、高频振荡线圈L1、负反馈电容C4、负反馈电阻R5组成，NPN型晶体管VT1的集电极接电容C3的一端和负反馈电容C4的一端，电容C3的另一端接变容二极管D1的负极，负反馈电容C4的另一端接NPN型晶体管VT1的发射极和负反馈电阻R5的一端，负反馈电阻R5的另一端接电路地GND，NPN型晶体管VT1的集电极通过高频振荡线圈L1接电路正极VCC；所述的甲类功放及发射电路由高频振荡线圈次级L2、NPN型晶体管VT2、高频发射线圈L3、电位器RP2和电容C5、耦合电容C6及发射天线ATX组成，NPN型晶体管VT2的基极通过高频振荡线圈次级L2接电路地GND，NPN型晶体管VT2的发射极接电位器RP2的一端及其活动端和电容C5的一端，电位器RP2的另一端和电容C5的另一端接电路地GND，NPN型晶体管VT2的集电极通过高频发射线圈L3接电路正极VCC，耦合电容C6的一端接PN型晶体管VT2的集电极，耦合电容C6的另一端接发射天线ATX；所述的12V直流电源的正极与电路正极VCC相连，12V直流电源的负极与电路地GND相连。