[发明专利]测量TSV铜柱中残余应力的方法有效
| 申请号： | 201310261083.5 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103439248A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王珺;翟歆铎;张兆强;肖斐 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01N19/00 | 分类号： | G01N19/00;G01L1/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子领域，公开了一种测量TSV铜柱中残余应力的方法。本发明中，在待测的TSV铜柱表面确定一个测试原点；在所述测试原点的三个方向上，分别制备相同的一组微标记，三组微标记与所述测试原点的位置关系相同；在所述测试原点处打微孔；检测所述打微孔前后，三组所述微标记的位置变化；根据所述三组微标记的位置变化，结合弹性力学，计算得到所述测试原点处的残余应力。使得TSV铜柱中残余应力的测试无需应变片，也无需测定样品TSV铜柱的粗糙度，降低了测试要求，同时也保证了测量的残余应力的高精度。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 tsv 铜柱中 残余 应力 方法 | ||
【主权项】：
一种测量TSV铜柱中残余应力的方法，其特征在于，包含以下步骤：在待测的TSV铜柱表面确定一个测试原点；在所述测试原点的三个方向上，分别制备相同的一组微标记，三组微标记与所述测试原点的位置关系相同；在所述测试原点处打微孔；检测所述打微孔前后，三组所述微标记的位置变化；根据所述三组微标记的位置变化，结合弹性力学，计算得到所述测试原点处的残余应力。
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