[发明专利]化学干法蚀刻方法和半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201310261309.1 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103346066B | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 张程;包中诚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种化学干法蚀刻方法和半导体器件的形成方法。所述化学干法蚀刻方法包括提供化学干法蚀刻机，所述化学干法蚀刻机包括石英玻璃管；对所述石英玻璃管进行脱羟处理；采用所述化学干法蚀刻机进行干法蚀刻。本发明可以避免CDE设备中的石英玻璃管发生破裂，且可以提高蚀刻速率和晶圆的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 蚀刻 方法 半导体器件 形成 | ||
【主权项】：
一种化学干法蚀刻方法，其特征在于，包括：提供化学干法蚀刻机，所述化学干法蚀刻机包括石英玻璃管；采用氢氟酸对所述石英玻璃管进行脱羟处理；采用所述化学干法蚀刻机进行干法蚀刻；其中，所述脱羟处理用以提高晶圆上的蚀刻速率的稳定性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
