[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，所述晶体管的形成方法包括提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区域和第二区域；在半导体衬底表面形成伪栅介质材料层，伪栅介质材料层包括第一绝缘材料层和第二绝缘材料层；形成伪栅极和第二栅极；以所述伪栅极和第二栅极为掩膜，刻蚀伪栅介质材料层，形成伪栅介质层和第二栅介质层；在第一区域内形成第一源/漏区，在第二区域内形成第二源/漏区；在半导体衬底表面形成介质层，所述介质层的表面与伪栅极表面齐平；采用干法刻蚀工艺去除伪栅介质层中的第二绝缘材料层，再采用湿法刻蚀工艺去除伪栅介质层中的第一绝缘材料层，形成凹槽；在凹槽内形成第一栅极结构。所述方法能够节约步骤，提高晶体管的性能。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述半导体衬底表面形成伪栅介质材料层，所述伪栅介质材料层包括位于半导体衬底表面的第一绝缘材料层和位于所述第一绝缘材料层表面的第二绝缘材料层；在第一区域的伪栅介质材料层表面形成伪栅极，在第二区域的伪栅介质材料层表面形成第二栅极；以所述伪栅极和第二栅极为掩膜，刻蚀所述伪栅介质材料层，形成位于伪栅极下方的伪栅介质层和位于第二栅极下方的第二栅介质层；在所述伪栅极两侧的半导体衬底的第一区域内形成第一源/漏区，在所述第二栅极两侧的半导体衬底的第二区域内形成第二源/漏区；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层的表面与伪栅极表面齐平；去除伪栅极和伪栅介质层，形成凹槽，去除所述伪栅介质层的方法包括采用干法刻蚀工艺去除伪栅介质层中的第二绝缘材料层，再采用湿法刻蚀工艺去除伪栅介质层中的第一绝缘材料层；在所述凹槽内形成第一栅极结构。