[发明专利]分栅式闪存的擦除方法有效
| 申请号： | 201310261455.4 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103345939B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 顾靖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴靖靓,骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种分栅式闪存的擦除方法，所述分栅式闪存包括第一控制栅、第二控制栅、源极区域、漏极区域和字线，所述擦除方法包括在第一时刻与第二时刻之间，施加第一负电压至所述第一控制栅和第二控制栅；在所述第二时刻与第三时刻之间，施加第二负电压至所述第一控制栅和第二控制栅，所述第二负电压的绝对值大于所述第一负电压的绝对值，所述第二时刻与第三时刻之间的时间占所述第一时刻与第三时刻之间的时间的10%至20%；在所述第一时刻与第三时刻之间，施加正电压至所述字线，施加0V电压至所述源极区域和漏极区域。本发明技术方案提供的分栅式闪存的擦除方法，能够减缓所述分栅式闪存中隧穿氧化层的退化速度，提高所述分栅式闪存的耐久性。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅式 闪存 擦除 方法 | ||
【主权项】：
一种分栅式闪存的擦除方法，所述分栅式闪存包括：第一控制栅、第二控制栅、源极区域、漏极区域和字线，其特征在于，所述分栅式闪存的擦除方法包括：在第一时刻与第二时刻之间，施加第一负电压至所述第一控制栅和第二控制栅，所述第二时刻滞后于所述第一时刻；在所述第二时刻与第三时刻之间，施加第二负电压至所述第一控制栅和第二控制栅，所述第三时刻滞后于所述第二时刻，所述第二负电压的绝对值大于所述第一负电压的绝对值，所述第二时刻与第三时刻之间的时间占所述第一时刻与第三时刻之间的时间的10%至20%；在所述第一时刻与第三时刻之间，施加正电压至所述字线，施加0V电压至所述源极区域和漏极区域。
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