[发明专利]高压静电保护结构

摘要

本发明公开了一种高压静电保护结构，包括一N型LDMOS整体置于一硅衬底上方的N型埋层内；所述LDMOS器件的多晶硅栅极右侧的有源区是该器件的漏区，所述漏区下方有N+型注入区、N‑注入区和高压N阱；所述多晶硅栅极左侧的有源区是该器件的源区，所述源区下方有N+型注入区，在所述N+型注入区左侧相邻场氧区域隔离有第一P型有源区，在第一P型有源区左侧相邻场氧区域隔离有第二P型有源区；本发明能有效的降低LDMOS结构的触发电压，有利于LDMOS在多指状排列下的均匀导通能力，并提高整体静电防护能力的高压静电保护结构。

主权项

一种高压静电保护结构，其特征在于，包括：一N型LDMOS整体置于一硅衬底上方的N型埋层内；所述LDMOS器件的多晶硅栅极右侧的有源区是该器件的漏区，其连接ESD进入端，所述漏区下方有N+型注入区、N‑注入区和高压N阱；所述多晶硅栅极左侧的有源区是该器件的源区，所述源区下方有N+型注入区，在所述N+型注入区左侧相邻场氧区域隔离有第一P型有源区，在第一P型有源区左侧相邻场氧区域隔离有第二P型有源区；所述LDMOS器件其漏极连接ESD进入端，其源极与所述第一P型有源区接地，所述第二P型有源区与所述LDMOS器件多晶硅栅极共接。