[发明专利]基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法

摘要

本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法。首先将硫属亚铜化合物准一维纳米结构均匀分散在绝缘衬底上，通过一次紫外曝光光刻和电子束蒸发，在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的一端蒸镀上金属Cu电极，然后通过二次定位紫外曝光光刻和电子束蒸发，在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的另一端蒸镀上一种惰性金属电极。本发明首次将硫属亚铜化合物准一维纳米结构应用于纳米存储器，性能稳定可靠，功耗低，且制备方法简单易行，有望作为高密度存储单元应用于新型纳米电子器件。

主权项

基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器，其特征在于，由绝缘衬底（1）、硫属亚铜化合物的准一维纳米结构单元（2）、铜电极（3）和惰性金属电极（4）组成；其中，硫属亚铜化合物的准一维纳米结构单元（2）置于绝缘衬底（1）的顶面，硫属亚铜化合物的准一维纳米结构单元（2）的一端由铜电极（3）覆盖，硫属亚铜化合物的准一维纳米结构单元（2）的另一端由惰性金属电极（4）覆盖，即铜电极（3）和惰性金属电极（4）通过硫属亚铜化合物的准一维纳米结构单元（2）相连接；绝缘衬底（1）为柔性绝缘衬底或顶部带有绝缘层（5）的硅基衬底；构成硫属亚铜化合物的准一维纳米结构单元（2）的材质为硫化亚铜、硒化亚铜或碲化亚铜；硫属亚铜化合物的准一维纳米结构单元（2）为硫属亚铜化合物纳米线、硫属亚铜化合物纳米棒、硫属亚铜化合物纳米管或硫属亚铜化合物纳米带；硫属亚铜化合物准一维纳米结构单元（2）的轴向长度不小于10μm，硫属亚铜化合物准一维纳米结构单元（2）的径向长度为100‑1000nm；铜电极（3）的厚度为30~100 nm，蒸镀方式为电子束蒸发，蒸镀时真空室气压低于1×10‑3Pa，蒸发速率为0.5~1 nm/s；惰性金属电极（4）为Au、Pt中的任一种或该两种的复合，惰性金属电极（4）的厚度为30~100nm，蒸镀方式为电子束蒸发，蒸镀时真空室气压低于1×10‑3Pa，蒸发速率为0.05~0.1 nm/s；铜电极（3）和惰性金属电极（4）之间的距离为2~15μm。