[发明专利]一种高电位梯度ZnO基压敏瓷料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310262113.4 申请日: 2013-06-27
公开(公告)号: CN103345997A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 陈国华;李吉乐;张小文;袁昌来;杨云 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: H01C17/30 分类号: H01C17/30;H01C7/12;C04B35/453;C04B35/22;C04B41/88
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 罗玉荣
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种高电位梯度ZnO基压敏瓷料及其制备方法,该瓷料组分包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3、Cr2O3和Dy2O3。压敏瓷的化学式为:aZnO.bBi2O3.cSb2O3.dCo2O3.eMnO2.fCr2O3.gDy2O3,其中;a+b+c+d+e+f+g=1,各组分的摩尔比分别是:0.95≤a≤0.97,b=0.007,c=0.01,d=0.008,e=f=0.005,0.004≤g≤0.008。按照化学式称量配料,然后在球磨机中混匀、干燥、压片、烧结而成。本发明的高电位梯度ZnO压敏陶瓷有望应用于超高压电力系统的避雷器及电力系统的过压保护中。
搜索关键词: 一种 电位 梯度 zno 基压敏瓷 料及 制备 方法
【主权项】:
一种高电位梯度ZnO基压敏瓷料的制备方法,其特征是:包括如下步骤:(1)配料:以纯度大于98.5%的ZnO,Bi2O3,Sb2O3,Co2O3,MnO2,Cr2O3和Dy2O3为原料,按照aZnO.bBi2O3.cSb2O3.d Co2O3.eMnO2.fCr2O3.gDy2O3的比例配料,其中a+b+c+d+e+f+g=1,各物质的摩尔比分别是:0.95≤a≤0.97,b=0.007,c=0.01,d=0.008,e=f=0.005,0.004≤g≤0.008进行湿式球磨;(2)湿式球磨混合24小时后,将球磨好的浆料在75℃烘12小时成干粉;(3)干粉在750℃的空气气氛中预烧2小时;(4)在预烧的粉末中添加4%聚乙烯醇水溶液,造粒烘干后过100目筛子;(5)在80MPa下压制成直径大小18mm,厚度1.2mm的试样,在500℃排胶2小时;(6)在空气中烧结2 h,升、降温速率为4℃/min,将烧好的样品经端面磨平后涂覆银浆在600℃烧结固化形成银电极,即制得高电位梯度的压敏瓷料。
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