[发明专利]介电常数可调的铜互连层间介质之制造方法

摘要

一种介电常数可调的铜互连层间介质之制造方法，包括：步骤S1：依次淀积第一阻挡层、低介电常数介质层，以及覆盖层；步骤S2：通过光刻、刻蚀形成介质层沟槽；步骤S3：对介质层沟槽外围的低介电常数介质层进行氧化处理，获得侧壁氧化膜；步骤S4：在介质层沟槽内形成所述铜互连线；步骤S5：湿法刻蚀去除侧壁氧化膜；步骤S6：在低介电常数介质层一侧淀积第二阻挡层，以形成所述空气隔离。本发明通过设置所述介电常数可调的铜互连层间介质，所述介电常数可调的铜互连层间介质具有厚度可调的空气隔离，其介电常数约为1，较传统介质膜之介电常数更低，进而从整体上降低了所述铜互连层间介质的介电常数，改善了半导体器件之性能。

主权项

一种介电常数可调的铜互连层间介质之制造方法，其特征在于，所述介电常数可调的铜互连层间介质之制造方法包括：执行步骤S1：在前功能层上依次淀积第一阻挡层、低介电常数介质层，以及低介电常数介质层之覆盖层；执行步骤S2：通过光刻、刻蚀形成用于金属铜填充的所述介质层沟槽；执行步骤S3：对所述介质层沟槽外围的低介电常数介质层进行氧化处理，以获得所述侧壁氧化膜；执行步骤S4：在所述介质层沟槽内淀积铜扩散阻挡层、进行金属铜填充，并经过化学机械研磨，以形成所述铜互连线；执行步骤S5：通过湿法刻蚀去除所述介质层沟槽两侧的侧壁氧化膜，以形成所述沟槽；执行步骤S6：在所述低介电常数介质层之异于所述第一阻挡层的一侧淀积第二阻挡层，以在所述低介电常数介质层和所述第二阻挡层之间形成所述空气隔离。