[发明专利]一种维持过饱和度恒定的降温法晶体生长系统无效
| 申请号： | 201310263158.3 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103343383A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 尹华伟;李明伟;崔启栋;程旻;周川;王邦国;胡志涛 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C30B7/08 | 分类号： | C30B7/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400044 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种维持过饱和度恒定的降温法晶体生长系统，该系统包括拉力传感器和热电偶构成的检测单元，信号处理器和微机组成的控制单元，以及温控器构成的执行单元；该系统能够实时测量生长晶体的质量变化量，并以此为依据来调节水浴降温，使溶液温度降低所带来的过饱和度的增加量与晶体生长所引起的过饱和度的减少量相等，从而实现晶体在恒定的过饱和度下稳定快速生长，抑制生长层和包裹体的产生，提高生长晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 维持 饱和度 恒定 降温 晶体生长 系统 | ||
【主权项】：
一种维持过饱和度恒定的降温法晶体生长系统，其特征在于：该系统包括检测单元、控制单元、执行单元；主体结构包括拉力传感器、程控旋转器、热电偶、显示器、信号输出通道、信号处理器、微机、温控器、水浴、加热器、制冷器、搅拌器、生长容器、掣晶杆、托盘、盖板。
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