[发明专利]一种基于无机体异质结的太阳电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310263345.1 申请日: 2013-06-27
公开(公告)号: CN103367512A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 邱泽亮;王命泰;刘长文;吴璠;张慧 申请(专利权)人: 中国科学院等离子体物理研究所
主分类号: H01L31/072 分类号: H01L31/072;H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/18
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 230031 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种基于无机体异质结的太阳电池及其制备方法,电池组成包括有玻璃衬基、作为阳极的FTO层、Sb2S3块体和TiO2纳米棒阵列组成的体异质结复合膜层、聚合物MEH-PPV电子阻挡层、PEDOT:PSS空穴传输层以及作为电池阴极的Au膜层。本发明中电池制备方法简便,电池具有300-750nm的光谱响应范围;当整个电池的光活性层处于光照状态时,电池的转换效率达到5.58%。
搜索关键词: 一种 基于 机体 异质结 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于无机体异质结的太阳电池,包括有玻璃衬基,其特征在于:玻璃衬基上镀有太阳电池阳极,太阳电池阳极上设置有体异质结复合膜,体异质结复合膜上沉积有电子阻挡层,电子阻挡层上沉积有空穴传输层,空穴传输层上沉积有太阳电池阴极,所述体异质结复合膜由多个TiO2纳米棒构成的TiO2纳米棒阵列、Sb2S3材料层构成,TiO2纳米棒阵列中多个TiO2纳米棒分别垂直生长于太阳电池阳极上,Sb2S3材料层沉积在太阳电池阳极上,且Sb2S3材料层在TiO2纳米棒阵列侧面及上方包围TiO2纳米棒阵列并填满TiO2纳米棒之间间隙,由TiO2纳米棒阵列构成太阳电池的电子传输通道,由Sb2S3材料层构成光吸收材料。
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