[发明专利]一种基于无机体异质结的太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201310263345.1 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN103367512A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 邱泽亮;王命泰;刘长文;吴璠;张慧 | 申请(专利权)人: | 中国科学院等离子体物理研究所 |
主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于无机体异质结的太阳电池及其制备方法,电池组成包括有玻璃衬基、作为阳极的FTO层、Sb2S3块体和TiO2纳米棒阵列组成的体异质结复合膜层、聚合物MEH-PPV电子阻挡层、PEDOT:PSS空穴传输层以及作为电池阴极的Au膜层。本发明中电池制备方法简便,电池具有300-750nm的光谱响应范围;当整个电池的光活性层处于光照状态时,电池的转换效率达到5.58%。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 机体 异质结 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于无机体异质结的太阳电池,包括有玻璃衬基,其特征在于:玻璃衬基上镀有太阳电池阳极,太阳电池阳极上设置有体异质结复合膜,体异质结复合膜上沉积有电子阻挡层,电子阻挡层上沉积有空穴传输层,空穴传输层上沉积有太阳电池阴极,所述体异质结复合膜由多个TiO2纳米棒构成的TiO2纳米棒阵列、Sb2S3材料层构成,TiO2纳米棒阵列中多个TiO2纳米棒分别垂直生长于太阳电池阳极上,Sb2S3材料层沉积在太阳电池阳极上,且Sb2S3材料层在TiO2纳米棒阵列侧面及上方包围TiO2纳米棒阵列并填满TiO2纳米棒之间间隙,由TiO2纳米棒阵列构成太阳电池的电子传输通道,由Sb2S3材料层构成光吸收材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的