[发明专利]浅沟槽隔离方法在审
| 申请号： | 201310263816.9 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104253080A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 谭宇琦 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离方法，包括以下步骤：步骤一、提供基底，基底的一侧表面形成有栅电极，相邻的栅电极之间形成浅沟槽；步骤二、在步骤一得到的基底上形成有栅电极的一侧沉积高密度等离子体氧化物形成高密度等离子体氧化物层；步骤三、采用湿法腐蚀对步骤二得到高密度等离子体氧化物层进行腐蚀，在高密度等离子体氧化物层上形成开口，开口的深宽比小于浅沟槽的深宽比；步骤四、在开口内进一步填充所述高密度等离子体氧化物以与步骤三的高密度等离子体氧化物形成对浅沟槽的完整填充。上述浅沟槽隔离方法，能够形成对浅沟槽的完整填充，有效避免浅沟槽的洞口过早封死而影响高密度等离子体氧化物的填充，避免产生空隙。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供基底，所述基底的一侧表面形成有栅电极，相邻的所述栅电极之间形成浅沟槽；步骤二、在步骤一得到的所述基底上形成有栅电极的一侧沉积高密度等离子体氧化物形成高密度等离子体氧化物层；步骤三、采用湿法腐蚀对步骤二得到高密度等离子体氧化物层进行腐蚀，在所述高密度等离子体氧化物层上形成开口，所述开口的深宽比小于所述浅沟槽的深宽比；步骤四、在所述开口内进一步填充所述高密度等离子体氧化物以与步骤三的高密度等离子体氧化物形成对所述浅沟槽的完整填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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