[发明专利]一种提高热稳定性的稀铋半导体量子阱结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201310264476.1 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103367575A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王庶民;顾溢;宋禹忻;叶虹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高热稳定性的稀铋半导体量子阱结构及其制备方法，所述的量子阱结构的势垒层中含有铋元素；其制备方法以GaAsBi量子阱为例，包括：（1）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；（2）生长AlGaAsBi势垒层；（3）生长GaAsBi势阱层；（4）继续重复生长N-1个周期的AlGaAsBi势垒层和GaAsBi势阱层，其中1≤N≤5；（5）最后再生长AlGaAsBi势垒层，即可。本发明的稀铋半导体量子阱结构的热稳定性好，本发明的稀铋半导体量子阱结构可用常规分子束外延、原子层沉积等多种方法进行生长，操作工艺简单，易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 热稳定性 半导体 量子 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高热稳定性的稀铋半导体量子阱结构，其特征在于：所述的量子阱结构的势垒层中含有铋元素，其中铋元素的含量为0.005‑0.1。
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