[发明专利]一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法有效
| 申请号： | 201310264486.5 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103367123A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王庶民;顾溢;宋禹忻;叶虹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法，包括：在生长稀铋半导体材料的过程中加入小半径且大键能的原子；所述的小半径且大键能的原子为氮或硼。本发明提供的方法在生长稀铋半导体材料的时候同时加入氮、硼等小半径、大键能的原子，利用此类原子增强铋原子在稀铋半导体材料中的成键强度，可以提高稀铋半导体材料在高温下的热稳定性；本发明可以用常规的分子束外延方法实现，操作工艺简单，易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 半导体材料 热稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法，包括：在生长稀铋半导体材料的过程中加入小半径且大键能的原子；所述的小半径且大键能的原子为氮或硼。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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