[发明专利]基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器的制备方法

摘要

本发明公开了基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器的制备方法，其特征是按如下步骤进行：在硅片1上制备绝缘层2，将P型ZnSe/N型Si核壳纳米线分散在绝缘层2上，在绝缘层上制备与N型Si壳层为欧姆接触的N型Si电极对，N型Si电极对通过纳米线连通；将N型Si电极对之间的N型Si壳层刻蚀至露出P型ZnSe纳米线核，并在露出的P型ZnSe纳米线核上制备与P型ZnSe纳米线核交叉呈欧姆接触的P型ZnSe电极。本发明利用P型ZnSe/N型Si核壳纳米线制备的存储器，开关比大、存储时间长、性能稳定且可重复性好，为存储器件的高度集成化奠定基础。

主权项

基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器的制备方法，其特征是按如下步骤进行：a、合成P型ZnSe/N型Si核壳纳米线，所述P型ZnSe/N型Si核壳纳米线是在P型ZnSe纳米线核（6）的外表面包裹有N型Si壳层（5）；b、在硅片（1）上制备绝缘层（2），将P型ZnSe/N型Si核壳纳米线分散在所述绝缘层（2）上；c、通过紫外光刻与电子束镀膜在分散有P型ZnSe/N型Si核壳纳米线的绝缘层（2）上制备一N型Si电极对（4），所述N型Si电极对（4）通过P型ZnSe/N型Si核壳纳米线连通且所述N型Si电极对（4）与所述N型Si壳层（5）为欧姆接触；d、通过紫外光刻与RIE刻蚀将所述N型Si电极对（4）之间的N型Si壳层（5）刻蚀至露出P型ZnSe纳米线核（6）；e、通过紫外光刻与电子束镀膜在刻蚀后露出的P型ZnSe纳米线核（6）上制备P型ZnSe电极（3），所述P型ZnSe电极（3）位于所述N型Si电极对（4）之间且与所述P型ZnSe纳米线核（6）交叉呈欧姆接触，得到基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器，所述P型ZnSe电极（3）不与所述N型Si电极对（4）接触。