[发明专利]检测多晶硅栅极与接触孔对准度的方法在审
| 申请号： | 201310264880.9 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103346107A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种检测多晶硅栅极与接触孔对准度的方法，方法包括以下步骤：提供一检测晶圆；采用第一类型离子对所述检测晶圆进行阱区离子注入工艺，以在所述检测晶圆中形成同一类型的阱区；继续采用第二类型离子对所述检测晶圆进行有源区离子注入工艺，以在所述检测晶圆中形成同一类型的有源区；于形成有阱区和有源区的检测晶圆上制备栅极结构和接触孔后，对将所述检测晶圆进行接触孔平坦化工艺，并继续对该检测晶圆进行检测工艺，以确定漏电的接触孔位置；根据所述漏电的接触孔位置检测所述多晶硅栅极与所述接触孔对准度；其中，所述第一类型离子与所述第二类型的离子的类型相反。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 多晶 栅极 接触 对准 方法 | ||
【主权项】：
一种检测多晶硅栅极与接触孔对准度的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供一检测晶圆；采用第一类型离子对所述检测晶圆进行阱区离子注入工艺，以在所述检测晶圆中形成同一类型的阱区；继续采用第二类型离子对所述检测晶圆进行有源区离子注入工艺，以在所述检测晶圆中形成同一类型的有源区；于形成有阱区和有源区的检测晶圆上制备栅极结构和接触孔后，对将所述检测晶圆进行接触孔平坦化工艺，并继续对该检测晶圆进行检测工艺，以确定漏电的接触孔位置；根据所述漏电的接触孔位置检测所述多晶硅栅极与所述接触孔对准度；其中，所述第一类型离子与所述第二类型的离子的类型相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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