[发明专利]一种图形化衬底及其制造方法无效
申请号: | 201310267247.5 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN103311387A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 张昊翔;封飞飞;万远涛;李东昇;江忠永 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/10;H01L33/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出一种图形化衬底的制造方法,包括如下步骤:提供一衬底,所述衬底包括一平坦的第一结构以及在所述第一结构表面形成的掩膜层,所述掩膜层的折射率小于所述第一结构的折射率;利用光刻和刻蚀工艺在所述第一结构表面形成图形化的掩膜层;以所述图形化的掩膜层为掩膜进行湿法腐蚀工艺,以使所述第一结构形成有多个图形化结构,每个所述图形化结构位于对应的图形化的掩膜层之下,所述第一结构、图形化结构和图形化的掩膜层形成图形化衬底。本发明还提供一种图形化衬底,以减少光从外延层射向衬底的损失,提高出光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 图形 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种图形化衬底的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一衬底,所述衬底包括一平坦的第一结构以及在所述第一结构表面形成的掩膜层,所述掩膜层的折射率小于所述第一结构的折射率;利用光刻和刻蚀工艺在所述第一结构表面形成图形化的掩膜层;以所述图形化的掩膜层为掩膜进行湿法腐蚀工艺,以使所述第一结构形成有多个图形化结构,每个所述图形化结构位于对应的图形化的掩膜层之下,所述第一结构、图形化结构和图形化的掩膜层形成图形化衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰明芯科技有限公司,未经杭州士兰明芯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310267247.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体紫外光源器件
- 下一篇:一种N型太阳能电池的制作方法