[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201310267626.4 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN104253042B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 张硕;芮强;邓小社;王根毅 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265;H01L21/28 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，其包括提供具有正面和反面的晶圆，其中所述晶圆包括有第一导电类型的半导体衬底，基于所述半导体衬底在所述晶圆的正面侧形成有绝缘栅型晶体管单元；在所述晶圆的正面上形成保护层；在所述晶圆的反面侧注入第二导电类型杂质离子；去除形成于所述晶圆正面上的保护层；在所述绝缘栅型晶体管单元上形成第一主电极接触孔，并通过孔回流热过程对注入所述晶圆的反面侧的第二导电类型杂质离子进行激活以形成第二导电类型半导体层。这样，可以实现所述第二导电类型杂质离子的高效率激活，从而更好的实现绝缘栅双极晶体管的加工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，其包括：提供具有正面和反面的晶圆，其中所述晶圆包括有第一导电类型的半导体衬底，基于所述半导体衬底在所述晶圆的正面侧形成有绝缘栅型晶体管单元；在所述晶圆的正面上形成保护层；在所述晶圆的反面侧注入第二导电类型杂质离子；去除形成于所述晶圆正面上的保护层；在所述绝缘栅型晶体管单元上形成第一主电极接触孔，并通过孔回流热过程对注入所述晶圆的反面侧的第二导电类型杂质离子进行激活以形成第二导电类型半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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