[发明专利]进行再沉积制程时改善掺杂多晶硅片电阻阻值差异的方法

摘要

一种进行再沉积制程时改善掺杂多晶硅片电阻阻值差异的方法，在沉积制程中断后的多晶硅薄膜上通H2气流，再进行再沉积制程，直到完成多晶硅薄膜的沉积，然后依序进行后续制程。本发明能够缩小沉积制程和再沉积制程中形成的多晶硅薄膜的片电阻阻值差异，减少制程中断产生的不良影响，获得片电阻较为一致的多晶硅薄膜。

主权项

一种进行再沉积制程时改善掺杂多晶硅片电阻阻值差异的方法，该方法用于沉积制程遭到中断后，其特征在于，该方法包含以下步骤：步骤1、判断沉积制程遭到中断，转到步骤2；步骤2、在沉积制程中断后的多晶硅薄膜上通H2气流；步骤3、进行再沉积制程，直到完成多晶硅薄膜的沉积，然后依序进行后续制程；所述的步骤2中，H2气流为99%摩尔比氢气；所述的步骤2中，H2气流的流量为0~200立方厘米/分钟；所述的步骤2中，H2气流的通气时间为10‑15S。