[发明专利]不良地质结构面横向贯穿水封洞库主洞室的处理方法有效

专利信息
申请号: 201310268417.1 申请日: 2013-06-28
公开(公告)号: CN103291311A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 郭得福;陈海锋;翟飞飞;洪开荣;师传志;魏征;王闯;周正华;辛国平;陈建国;胡宝生 申请(专利权)人: 中铁隧道集团一处有限公司
主分类号: E21D9/00 分类号: E21D9/00
代理公司: 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 代理人: 谭小容
地址: 401121 重庆市北部新*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明公开了一种不良地质结构面横向贯穿水封洞库主洞室的处理方法,在不良地质段位置处上下间隔设置有贯通该不良地质段的上连接洞(4)和下连接洞(2),通过上连接洞(4)和下连接洞(2)将不良地质段两端的主洞室(1)连通,且所述上连接洞(4)的顶部高程与主洞室(1)的顶部高程一致,所述下连接洞(2)的底部高程与主洞室(1)的底部高程一致。由于上、下连接洞的断面较小,相比主洞室的断面来说,对围岩的稳定性影响较小,在开挖过程中不易出现坍塌现象,从而大大降低了施工难度,并减少了施工成本。
搜索关键词: 不良 地质 结构 横向 贯穿 水封 洞库 主洞室 处理 方法
【主权项】:
一种不良地质结构面横向贯穿水封洞库主洞室的处理方法,其特征在于:在不良地质段位置处上下间隔设置有贯通该不良地质段的上连接洞(4)和下连接洞(2),通过上连接洞(4)和下连接洞(2)将不良地质段两端的主洞室(1)连通,且所述上连接洞(4)的顶部高程与主洞室(1)的顶部高程一致,所述下连接洞(2)的底部高程与主洞室(1)的底部高程一致。
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