[发明专利]氧化硅膜的形成方法及氧化硅膜的形成装置无效
| 申请号： | 201310268788.X | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103531462A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 大部智行;黑川昌毅 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氧化硅膜的形成方法及氧化硅膜的形成装置。该氧化硅膜的形成方法包括以下工序：成膜工序，向容纳有多张被处理体的反应室内供给含有氯的硅原料，并在上述多张被处理体上形成氧化硅膜；以及改性工序，向上述反应室内供给氢和氧或者氢和一氧化二氮而使该反应室内处于氢和氧的气氛下或者氢和一氧化二氮的气氛下，对利用上述成膜工序形成的氧化硅膜进行改性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种氧化硅膜的形成方法，其中，该氧化硅膜的形成方法包括以下工序：成膜工序，向容纳有多张被处理体的反应室内供给含有氯的硅原料而在上述多张被处理体上形成氧化硅膜；以及改性工序，向上述反应室内供给氢和氧或者氢和一氧化二氮而使该反应室内处于氢和氧的气氛下或者氢和一氧化二氮的气氛下，对利用上述成膜工序形成的氧化硅膜进行改性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310268788.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
