[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置无效
申请号: | 201310269302.4 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN103337497A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 阎长江;李靖;李田生;谢振宇;陈旭 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置,涉及显示技术领域,用以降低薄膜晶体管的漏电流,提高TFT的稳定性,提升显示器件的显示效果。该阵列基板包括:透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶体管TFT,第一钝化层覆盖TFT、第一透明电极位于第一钝化层的表面,对应TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括透明基板以及位于所述透明基板上的薄膜晶体管TFT,第一钝化层覆盖所述TFT、第一透明电极位于所述第一钝化层的表面;对应所述TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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