[发明专利]一种薄膜晶体管、其制备方法及相关装置有效
| 申请号： | 201310269381.9 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103354243A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 李延钊;王刚;方金钢 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/26;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、其制备方法及相关装置，在薄膜晶体管中的有源层采用非晶态磷化物半导体材料制备。由于磷化物半导体材料的载流子的迁移率比较高，因此，相对于现有的薄膜晶体管的有源层采用非晶硅、多晶硅、微晶硅或氧化物半导体材料制备，采用非晶态磷化物半导体材料制备薄膜晶体管的有源层，可以得到载流子迁移率较高的薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制备 方法 相关 装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，以及形成于所述衬底基板上的栅极、有源层、源极和漏极，其特征在于；所述有源层的材料为非晶态磷化物半导体材料。
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