[发明专利]半导体光接收元件有效
| 申请号： | 201310269399.9 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103531644A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 山日龙二;西本赖史 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体光接收元件，该半导体接收元件包括：光接收部分，其设置在半绝缘基板上并具有台面形状，所述光接收部分中层叠有多个半导体层；绝缘膜的层叠结构，其设置在光接收部分的侧面的一部分上并具有如下结构：其中，由氮化硅膜构成的第一绝缘膜、由氮氧化硅膜构成的第二绝缘膜和由氮化硅膜构成的第三绝缘膜彼此接触地层叠起来；以及树脂膜，其设置成与光接收部分邻近，树脂膜置于第一绝缘膜、第二绝缘膜和第三绝缘膜中的任意两者之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 接收 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体光接收元件，包括：光接收部分，其设置在半绝缘基板上并具有台面形状，所述光接收部分中层叠有多个半导体层；绝缘膜的层叠结构，其设置在所述光接收部分的侧面的一部分上并具有如下结构：由氮化硅膜构成的第一绝缘膜、由氮氧化硅膜构成的第二绝缘膜和由氮化硅膜构成的第三绝缘膜彼此接触地层叠起来；以及树脂膜，其设置成与所述光接收部分邻近，所述树脂膜置于所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜中的任意者之中或之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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