[发明专利]金属内连线结构及其制造方法有效
申请号: | 201310270035.2 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN104253052B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 王啸刚;林咏祥 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 张然,李昕巍 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种金属内连线结构的制造方法,包括在介电层中形成导电插塞,接着,在介电层与导电插塞上形成导电层,之后,在导电层上覆盖顶盖层,其后,图案化顶盖层与导电层,以形成图案化的顶盖层与图案化的导电层。本发明的金属内连线结构的制造方法可以避免残酸除气现象,提升元件的可靠度以及工艺的良率。 | ||
搜索关键词: | 金属 连线 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种金属内连线结构的制造方法,包括:在一介电层中形成一接触窗开口,该接触窗开口的尺寸不大于1000埃,再于该接触窗开口中填入导电材料,以形成一导电插塞,该导电插塞中具有至少一孔隙;在该介电层与该导电插塞上形成一导电层,该导电层的厚度不大于1000埃,该导电层中具有至少一细缝,該至少一細縫的一端的寬度小於該至少一細縫中遠離該端的一部分的寬度;在该导电层上覆盖一顶盖层,该顶盖层封闭该至少一细缝的开口,且该顶盖层包括以原位沉积法形成的一金属氮化物层;以及图案化该顶盖层与该导电层,以形成一图案化的顶盖层与一图案化的导电层,且该图案化的顶盖层的厚度介于1nm至5nm之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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