[发明专利]薄膜体声波谐振器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310270304.5 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103296992A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 杜波;马晋毅;米佳;江洪敏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜体声波谐振器结构的制造方法及薄膜体声波谐振器结构。该薄膜体声波谐振器结构的制造方法其包括步骤：于载片上形成薄膜体声波谐振器；于衬底上形成空腔；将薄膜体声波谐振器搭载在该空腔；形成该薄膜体声波谐振器的电极的电连接层。本发明薄膜体声波谐振器结构的制造方法及薄膜体声波谐振器结构无需现有技术中提到的牺牲材料、无需牺牲层薄膜释放工艺，从而简化了工艺，避免了牺牲层材料残留导致的Q值恶化，从而实现高Q值薄膜体声波谐振器结构的简单制造。此外，薄膜体声波谐振器结构的制造方法及薄膜体声波谐振器结构的生产成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 谐振器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜体声波谐振器结构的制造方法，其包括步骤： 于载片上形成薄膜体声波谐振器； 于衬底上形成空腔； 将薄膜体声波谐振器搭载在该空腔； 形成该薄膜体声波谐振器的电极的电连接层。
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