[发明专利]单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法

摘要

本发明公开了单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法。本发明包括以下步骤：1.激光扫描开孔定位：软件绘制所需制绒图形（CAD绘制），皮秒激光依照图形在清洗后的硅片表面进行扫描开孔，形成微米级倒锥形孔均匀分布的绒面；2.酸洗孔状绒面：先用HF酸漂洗，再进行蒸馏水清洗。3.酸洗孔状绒层：先用HF酸漂洗，再进行超纯水清洗。4.制备倒金字塔绒面：将酸洗后的样品放入配置好的碱性溶液中水浴加热，制备出微米级倒金字塔绒面。本发明省去了制备和去除掩膜工艺，代之以激光扫描开孔技术，制绒区域的大小和形状可通过软件（CAD）进行定制；在太阳光谱光子密集的400nm-700nm波段具有优异的减反效果，反射率达到了5%。

主权项

单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）激光扫描开孔定位：软件绘制所需制绒图形，清洗硅片，通过电脑控制聚焦后的激光依照图形在硅片表面进行扫描开孔，形成微米级倒锥形孔均匀分布的绒面，能量密度：6.8J/cm2～8.4J/cm2，A=1.56*107～2.68*107，定义A为硅片表面平均每平方厘米所接收到的脉冲数；（2）酸洗孔状绒面：HF酸漂洗孔状绒面，去除氧化物，再进行蒸馏水超声清洗，去除碎屑，之后氮气吹干；（3）制备倒金字塔绒面：将酸洗后的样品放入配置好的碱性溶液中水浴加热，制备出微米级倒金字塔绒面。