[发明专利]基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310271571.4 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN103311435A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;孙阔;王芳;陆涛;孙文翔;王宝林;赵金石;胡曦文;王雨晨 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm、上电极50-200nm；其制备方法中氧化钒薄膜由射频溅射法制备，在氧化钒薄膜上通过磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铝薄膜。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧化钒/氧化铝叠层结构，具有两次reset现象，可以获得3个阻态：低阻态、中间阻态和高阻态，每个阻态之间有10倍以上的阻值比；此外还具有良好的保持性和重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 氧化铝 结构 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器，其特征在于：由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50‑200 nm、氧化钒5‑200nm、氧化铝1‑50nm、上电极50‑200nm。
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