[发明专利]一种钼碳共掺二氧化钛光催化薄膜的制备方法有效
申请号: | 201310271709.0 | 申请日: | 2013-07-01 |
公开(公告)号: | CN103394376A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 沈杰;罗胜耘;颜秉熙 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | B01J37/34 | 分类号: | B01J37/34;B01J27/22 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于光催化薄膜技术领域,具体为一种钼碳共掺二氧化钛光催化薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术,使用三靶共溅的溅射仪器,三个溅射靶分别为碳化钛陶瓷靶、嵌钼二氧化钛陶瓷靶以及纯二氧化钛陶瓷靶;基板采用玻璃或金属板,溅射时以Ar离子轰击靶材,通过调节各靶的溅射功率来实时调控薄膜的钼、碳和钛的原子浓度比,以获得优良的光催化和光电转换性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 钼碳共掺二 氧化 光催化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种钼碳共掺二氧化钛光催化薄膜的制备方法,其特征在于采用射频磁控溅射技术,使用三靶共溅的溅射仪器,三个溅射靶分别为碳化钛陶瓷靶、嵌钼二氧化钛陶瓷靶以及纯二氧化钛陶瓷靶;基板采用玻璃或金属板,溅射时以Ar离子轰击靶材,通过调节各靶的溅射功率来实时调控薄膜的钼、碳和钛的原子浓度比,以获得优良的光催化和光电转换性能;制备的具体条件如下:基板温度为室温至300℃;射频磁控溅射时使用氧、氩混合气体,总气压为0.1~1.0 Pa,其中O2分压占总气压比为0.5~10.0 %;溅射功率密度为1.7~177 kW/m2;制备得到的薄膜样品在空气、氮气或惰性气体保护下退火,退火温度为400~600 ℃,退火时间为1~5小时。
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