[发明专利]一种超势垒整流器及其制备方法

摘要

本发明主要涉及功率半导体整流器，更确切地说，是设计一种超势垒整流器及提供制备超势垒整流器的优化方法。在半导体衬底中制备沟槽式的SBR器件，具有与MOS管并联的PN结，势垒MOS管的阈值电压比常规PN结的势垒电压低，SBR正向导通的电压低于常规PN二极管的正向导通电压，使SBR具有一个较快的开关速度。

主权项

一种超势垒整流器，其特征在于，包括：一半导体衬底，包含一底部衬底和底部衬底之上的一外延层，其中，在外延层的顶部形成有一本体区，以及在本体区顶部形成有一掺杂区；形成在外延层中并且在底部和侧壁内衬有栅极氧化层的栅极沟槽和形成在栅极沟槽内的控制栅极，栅极沟槽向下贯穿所述掺杂区和所述本体区直至其底部延伸至本体区下方的外延层中；贯穿所述掺杂区并向下延伸至本体区内的接触孔，和植入在所述接触孔底部周围的本体接触区；覆盖在所述外延层之上并与所述掺杂区保持电性接触的一阳极金属层，所述接触孔内设置有金属栓塞；以及覆盖在所述底部衬底的底面的一阴极金属层。