[发明专利]一种基于柔性基底的太赫兹调制器膜材料的制备方法无效
申请号: | 201310272361.7 | 申请日: | 2013-06-29 |
公开(公告)号: | CN103361614A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 胡明;韦晓莹;武雅乔;夏晓旭;朱乃伟 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/20;C23C14/58 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 张宏祥 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于柔性基底的太赫兹调制器膜材料的制备方法,采用聚酰亚胺为柔性基底,清洗后在其表面沉积厚度为50~300nm的金属钒纳米薄膜,再将金属钒纳米薄膜进行快速热处理,形成金属钒薄膜厚度为100~600nm。本发明借助于激光激励,通过改变材料本身的性质来实现太赫兹波的调制,实现了调制器膜材料在柔性基底上的可操作性,为柔性基底集成电路新型器件提供了应用基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 柔性 基底 赫兹 调制器 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于柔性基底的太赫兹调制器膜材料的制备方法,具有以下步骤: (1)柔性基底PI的清洗: 所用柔性基底为聚酰亚胺,简称PI,将其依次放入去离子水、丙酮溶剂和无水乙醇中分别超声清洗20分钟,随后放入质量分数为5%的醋酸溶液中浸泡15分钟,除去表面有机物杂质;再用去离子水洗净,烘干备用; (2)制备金属钒纳米薄膜: 将步骤(1)清洗好的PI置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室,采用质量纯度为99.99%的金属钒作为靶材,以质量纯度为99.999%的氩气作为工作气体,本底真空度4~6×10‑4Pa,基片温度为室温,氩气气体流量为45‑48mL/min,溅射工作气压为0.5~2Pa,溅射功率135~150W,溅射时间10~60min,在PI表面沉积金属钒纳米薄膜; (3)基于柔性基底金属钒纳米薄膜的热处理 将步骤(2)制得的金属钒纳米薄膜置于快速热处理设备中,采用质量纯度为99.999%的氧气作为工作气体,氧气气体流量为30~50sccm,热处理温度为250~300℃,热处理时间为30~180s; (4)采用标准的8‑fTHz时域频谱系统测试基柔性基底氧化钒薄膜的调制特性,所加激光功率为200‑600mW。
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