[发明专利]一种多晶电池工艺水平及片源的评价方法有效
| 申请号： | 201310273090.7 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103308520A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 付少勇;熊震 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01R31/36;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 213031 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种电池工艺及多晶硅片片源的评价方法。该方法利用电致发光或光致发光提取硅片中的缺陷信息，从而获得可用于表征硅片质量的量化参数。进一步，本发明基于所述量化参数，并结合电池开路电压Voc测试，分离出电池工艺水平和多晶硅片片源对Voc的影响大小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 电池 工艺 水平 片源 评价 方法 | ||
【主权项】：
一种提取量化参数用于表征多晶电池的硅片质量的方法，包括：获取多晶电池的电致发光EL图像或光致发光PL图像；处理所述EL或PL图像，以获得少子寿命图像；基于所述少子寿命图像计算所述多晶电池的少子寿命参数LT；以及使用所述少子寿命参数LT作为硅片质量的量化参数。
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