[发明专利]具有单多晶硅层存储器单元的非易失性存储器器件

摘要

一种非易失性存储器器件，包括本体(12)，至少容纳第一半导体阱(14)和第二半导体阱(15)；绝缘结构(27)；以及至少一个非易失性存储器单元(2，2’)。该单元(2，2’)包括在第一阱(14)中的至少一个第一控制区域(16)；在第二阱(15)中的传导区域(18‑20)；以及浮置栅极区域(23)，其在第一阱(14)和第二阱(15)的一部分之上延伸，电容性地耦合到第一控制区域(16)并且与传导区域(18‑20)一起形成浮置栅极存储器晶体管(30)。绝缘结构(27)包括第一绝缘区域(28)，其将浮置栅极区域(23)与第一控制区域(16)以及与传导区域(18‑20)分开，并且具有第一厚度(D1)；以及第二绝缘区域(29)，其将浮置栅极区域(23)与第一控制区域(16)外部的第一阱(14)分开，并且具有大于第一厚度(D1)的第二厚度(D2)。

主权项

一种非易失性存储器器件，包括：本体(12)，容纳半导体材料的至少第一阱(14)和至少第二阱(15)；绝缘结构(27)；以及至少非易失性存储器单元(2，2’)；其中所述存储器单元(2，2’)包括：容纳在所述第一阱(14)中的至少第一控制区域(16)；容纳在所述第二阱(15)中的传导区域(18‑20)；以及浮置栅极区域(23)，其在所述第一阱(14)的一部分和所述第二阱(15)的一部分上延伸，电容性地耦合到所述第一控制区域(16)并且与所述传导区域(18‑20)一起形成浮置栅极存储器晶体管(30)；并且其中所述绝缘结构(27)包括：第一绝缘区域(28)，将所述浮置栅极区域(23)与所述第一控制区域(16)以及与所述传导区域(18‑20)分开，并且具有第一厚度(D1)；以及第二绝缘区域(29)，将所述浮置栅极区域(23)与所述第一控制区域(16)外部的所述第一阱(14)分开，并且具有大于所述第一厚度(D1)的第二厚度(D2)。