[发明专利]一种改善刻蚀糊胶的方法在审
| 申请号： | 201310273597.2 | 申请日： | 2013-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104253037A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 芮强;张硕;邓小社;王根毅 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/308 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善刻蚀糊胶的方法，该方法使用紫外光照射经曝光显影后的带光刻胶的半导体圆片，其具体步骤如下：步骤一：提供半导体圆片，其具有刻蚀层；步骤二：在刻蚀层上涂覆一层光刻胶并曝光显影；步骤三：使用紫外光照射经上述步骤后的带有光刻胶的半导体圆片；步骤四：采用干法刻蚀工艺对刻蚀层进行刻蚀。与现有技术相比，本发明的方法，在进行干法刻蚀前加入紫外光，经过曝光显影后的带胶晶圆片通过紫外光照射后，光刻胶的性能得到改善，避免了光刻胶的糊胶现象。本发明工艺简单，易于实施，明显提高了产品的性能、良率和可靠性，解决了产品的失效问题，同时也降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种改善刻蚀糊胶的方法，该方法使用紫外光照射经曝光显影后的带光刻胶的半导体圆片，其具体步骤如下：步骤一：提供半导体圆片，其具有刻蚀层；步骤二：在刻蚀层上涂覆一层光刻胶并曝光显影；步骤三：使用紫外光照射经上述步骤后的带有光刻胶的半导体圆片；步骤四：采用干法刻蚀工艺对刻蚀层进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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