[发明专利]基于介孔氧化铟气敏材料的气体传感器及制备方法无效
| 申请号： | 201310274638.X | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103353470A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 孙晓红;郑春明 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于介孔氧化铟气敏材料的气体传感器及制备方法，以介孔氧化铟气敏材料作为传感器的传感层。采用以纳米浇铸法制备的介孔氧化铟作为气敏材料，配制涂覆浆料浓度为0.02-0.2g/mL，经涂覆制备气体传感器的传感层厚度为500nm～300μm。该气体传感器制备方法操作简单、易实现，具有大的气敏比表面积，大于150m2/g；且有利于提高所制备气体传感器的气敏性能，乙醇最佳传感性能大于18，丙酮最佳传感性能大于15，甲醇最佳传感性能大于12，均高于工业常用气体传感器性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 铟气敏 材料 气体 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于介孔氧化铟气敏材料的气体传感器，其特征是以介孔氧化铟气敏材料作为传感器的传感层。
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