[发明专利]堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法，包括：由多个纳米线上下层叠构成的串珠状的纳米线堆叠，在衬底上沿第一方向延伸；多个栅极堆叠，沿第二方向延伸并且跨越了每个纳米线堆叠；多个源漏区，位于每个栅极堆叠沿第二方向两侧；多个沟道区，由位于多个源漏区之间的纳米线堆叠构成。依照本发明的堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法，通过多次回刻、侧向刻蚀沟槽并填充，形成了质量良好的串珠状的纳米线堆叠，以较低的成本充分增大导电沟道有效宽度，并且提高了有效导电总截面面积，从而提高驱动电流。

主权项

一种堆叠纳米线MOS晶体管制作方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在每个鳍片中形成由多个纳米线上下层叠构成的串珠状的纳米线堆叠；在纳米线堆叠上形成沿第二方向延伸的栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构两侧形成源漏区，源漏区之间的纳米线构成沟道区。