[发明专利]新型四叠层非微晶锗硅薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

新型四叠层非微晶锗硅薄膜太阳能电池，其特征在于包括四结叠层串联的子电池；第一结是由P1层、I1层、N1层构成的PIN结构，第二结为P2层、I2层、N2层构成的PIN结构，第三结为P3层、I3层、N3层构成的PIN结构，第四结为P4层、I4层、N4层构成的PIN结构，其中P1层、P2层为P型a-Si材料，P3层、P4层为P型μc-Si材料，N1层、N4层为N型a-Si材料，N2层、N3层为N型μc-Si材料。I1层为a-Si材料，I2层为a-SiGe材料，I3层为μc-Si材料，I4层为μc-SiGe材料；该电池提高了光电转换效率，结构性能稳定，有利于产业化。

主权项

一种新型四叠层非微晶锗硅薄膜太阳能电池，其特征在于包括四结叠层串联的子电池；第一结是由P1层、I1层、N1层构成的PIN结构，第二结为P2层、I2层、N2层构成的PIN结构， 第三结为P3层、I3层、N3层构成的PIN结构，第四结为P4层、I4层、N4层构成的PIN结构，其中P1层、P2层为P型a‑Si材料，P3层、P4层为P型μc‑Si材料，N1层、N4层为N型a‑Si材料，N2层、N3层为N型μc‑Si材料;I1层为a‑Si材料，I2层为a‑SiGe材料，I3层为μc‑Si材料，I4层为μc‑SiGe材料；第一结电池镀在具有TCO透明导电膜的超白浮法玻璃基板上，在第一结电池上面依次沉积另三结电池;第四结上设有ZnO：Al层，ZnO：Al层上依次镀银、NiCr和Al构成背电极层。