[发明专利]一种无结纳米线FinFET及其制作方法有效
| 申请号： | 201310275445.6 | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN104282558B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 黄新运 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/336;H01L29/775;H01L29/786;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种无结纳米线FinFET半导体器件及其制作方法，所述方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成外延层；图案化所述外延层和部分所述半导体衬底，以形成鳍片结构以及位于所述鳍片结构上的纳米线结构；在所述鳍片结构和所述纳米线结构上形成栅极结构。根据本发明形成的无结纳米线FinFET半导体器件，当器件处于打开状态时的具有较大的电流，器件处于断开状态时的具有较小的电流，相对与FinFET性能得到极大的提高，相对于平面器件也具有更大的开‑关比，整个工艺过程和现有工艺完全兼容，而且该晶体管的制备方法适合小尺寸的半导体衬底，其制作成本低于纳米线圆柱体全包围栅无结场效应晶体管的制作成本，因此该晶体管的制作过程更加简单，同时降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 finfet 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种无结纳米线FinFET的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成外延层；图案化所述外延层和部分所述半导体衬底，以形成鳍片结构以及位于所述鳍片结构上的纳米线结构；在所述鳍片结构和所述纳米线结构上形成栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
