[发明专利]高效三叠层异质结薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201310275511.X | 申请日: | 2013-07-03 |
公开(公告)号: | CN103325879A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 董德庆;李朗川;信德磊;付东东 | 申请(专利权)人: | 黑龙江汉能薄膜太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/078 | 分类号: | H01L31/078;H01L31/0272;H01L31/20 |
代理公司: | 大庆禹奥专利事务所 23208 | 代理人: | 朱士文;杨晓梅 |
地址: | 155100 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种高效三叠层异质结薄膜太阳能电池,包括三结叠层串联的子电池;第一结为底电池,是由P1层、N1层构成的PN结结构,P1层为CuInSe2材料、N1层为CdS材料;第二结为中电池,第三结为顶电池,均为NIP结构;第一结与第二结电池之间具有一层10nm厚度的过渡层,采用本征非晶硅材料,过渡层与第一结、第二结接触的界面用等离子体轰击处理;第二结与第三结电池之间镀有SiOx中间层;第一结电池镀在具有背电极钼层的玻璃基板上,第三结电池顶部依次镀有导电窗口层、减反层和栅电极。本发明提高了光电转换效率,有效地降低了单位成本,本发明的电池结构性能稳定,可保证长期使用的电性能稳定性。 | ||
搜索关键词: | 高效 三叠层异质结 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高效三叠层异质结薄膜太阳能电池,其特征在于包括三结叠层串联的子电池;第一结为底电池,是由P1层、N1层构成的PN结结构,P1层为CuInSe2材料、N1层为CdS材料;第二结为中电池,为P2层、I2层、N2层构成的NIP结构,P2层为μ‑Si:H掺三甲基硼材料、I2层为光吸收层采用μc‑SiGe材料、N2层为μ‑Si:H掺磷烷材料;第三结为顶电池,为P3层、I3层、N3层构成的NIP结构,P3层为μ‑Si:H掺三甲基硼材料、I3层为光吸收层采用微晶硅μc‑Si材料、N3层为a‑Si:H掺磷烷材料;第一结与第二结电池之间具有一层10nm厚度的过渡层,采用本征非晶硅材料,过渡层与第一结、第二结接触的界面用等离子体轰击处理;第二结与第三结电池之间镀有SiOx中间层;第一结电池镀在具有背电极钼层的玻璃基板上,第三结电池顶部依次镀有导电窗口层、减反层和栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的