[发明专利]高效三叠层异质结薄膜太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310275511.X 申请日: 2013-07-03
公开(公告)号: CN103325879A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 董德庆;李朗川;信德磊;付东东 申请(专利权)人: 黑龙江汉能薄膜太阳能有限公司
主分类号: H01L31/078 分类号: H01L31/078;H01L31/0272;H01L31/20
代理公司: 大庆禹奥专利事务所 23208 代理人: 朱士文;杨晓梅
地址: 155100 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种高效三叠层异质结薄膜太阳能电池,包括三结叠层串联的子电池;第一结为底电池,是由P1层、N1层构成的PN结结构,P1层为CuInSe2材料、N1层为CdS材料;第二结为中电池,第三结为顶电池,均为NIP结构;第一结与第二结电池之间具有一层10nm厚度的过渡层,采用本征非晶硅材料,过渡层与第一结、第二结接触的界面用等离子体轰击处理;第二结与第三结电池之间镀有SiOx中间层;第一结电池镀在具有背电极钼层的玻璃基板上,第三结电池顶部依次镀有导电窗口层、减反层和栅电极。本发明提高了光电转换效率,有效地降低了单位成本,本发明的电池结构性能稳定,可保证长期使用的电性能稳定性。
搜索关键词: 高效 三叠层异质结 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高效三叠层异质结薄膜太阳能电池,其特征在于包括三结叠层串联的子电池;第一结为底电池,是由P1层、N1层构成的PN结结构,P1层为CuInSe2材料、N1层为CdS材料;第二结为中电池,为P2层、I2层、N2层构成的NIP结构,P2层为μ‑Si:H掺三甲基硼材料、I2层为光吸收层采用μc‑SiGe材料、N2层为μ‑Si:H掺磷烷材料;第三结为顶电池,为P3层、I3层、N3层构成的NIP结构,P3层为μ‑Si:H掺三甲基硼材料、I3层为光吸收层采用微晶硅μc‑Si材料、N3层为a‑Si:H掺磷烷材料;第一结与第二结电池之间具有一层10nm厚度的过渡层,采用本征非晶硅材料,过渡层与第一结、第二结接触的界面用等离子体轰击处理;第二结与第三结电池之间镀有SiOx中间层;第一结电池镀在具有背电极钼层的玻璃基板上,第三结电池顶部依次镀有导电窗口层、减反层和栅电极。
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