[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及一种半导体装置，能够在不使散热性恶化的情况下使装置整体的横向宽度缩短，并且，能够使各晶体管的特性均一。半导体衬底（1）由4H-SiC、6H-SiC、GaN、蓝宝石、ZnO、AlN、BeO等六方晶体构成。在该半导体衬底（1）的c面上设置有晶体管（2）、（3）。晶体管（2）、（3）的源极电极（4）、漏极电极（5）以及栅极电极（6）分别连接。在从与半导体衬底（1）的c面垂直的方向观察的俯视图中，晶体管（2）、（3）的栅极电极（6）彼此所成的角度是60度或120度。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底，由六方晶体构成；以及多个晶体管，设置在所述半导体衬底的c面上，所述多个晶体管的源极电极彼此连接，所述多个晶体管的漏极电极彼此连接，所述多个晶体管的栅极电极彼此连接，在从与所述半导体衬底的所述c面垂直的方向观察的俯视图中，所述多个晶体管的所述栅极电极的延伸方向彼此所成的角度是60度或者120度。