[发明专利]用于形成横向变化掺杂浓度的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201310276648.7 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103531450A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | Y.加利纳;F.J.尼德诺斯泰德;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于形成横向变化掺杂浓度的方法和半导体器件。提供了一种用于形成横向变化n型掺杂浓度的方法。该方法包括提供半导体晶片，该半导体晶片具有第一表面、与第一表面相对布置的第二表面和具有第一最大掺杂浓度的第一n型半导体层，向第一n型半导体层中注入第一最大能量的质子，并且用掩蔽氢等离子体来局部地处理第二表面。此外，提供了一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 横向 变化 掺杂 浓度 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种用于形成横向变化n型掺杂浓度的方法，包括：提供半导体晶片，该半导体晶片包括第一表面、与第一表面相对地布置的第二表面以及具有第一最大掺杂浓度的第一n型半导体层；在第一n型半导体层中形成具有高于第一最大掺杂浓度的最大掺杂浓度的第二n型半导体层，其中，形成第二n型半导体层包括向第一n型半导体层中注入第一最大能量的质子；以及用掩蔽氢等离子体来局部地处理第二表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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