[发明专利]一种基于铁电隧道结的忆阻器无效
| 申请号： | 201310276650.4 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103346256A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 吴迪;温峥;李爱东 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210008 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铁电隧道结的忆阻器，其铁电隧道结具有金属/铁电体/半导体结构，并在Pt/BaTiO3/Nb:SrTiO3铁电隧道结中实现其忆阻性能。本发明采用半导体作为铁电隧道结的底电极，形成金属/铁电体/半导体结构，通过精确控制铁电层中的有效极化，并结合铁电场效应，实现对结势垒高度和宽度的同时调制，从而获得忆阻效应。克服了传统忆阻器在制备过程中带电缺陷分布的随机性和操作中的难以控制性以及写/读电压的弥散性等缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 隧道 忆阻器 | ||
【主权项】：
一种基于铁电隧道结的忆阻器，其特征在于，该铁电隧道结为金属/铁电体/半导体结构。
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