[发明专利]蚀刻方法在审
| 申请号： | 201310277467.6 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103531461A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·R·伯吉斯;亚历克斯·西奥多西尓 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;B08B15/04 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 张颖玲;徐川 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明提供一种在电感耦合等离子体腔内的台板上蚀刻连续的基片的方法，其中，蚀刻过程在该腔内产生碳质沉积物，该方法包括：(a)中断基片的蚀刻加工；(b)在该腔内运行氧气等离子体或含氧等离子体，并去除气态副产物；以及(c)重新开始基片的蚀刻加工，其特征在于，该方法进一步包括步骤：(d)在步骤(b)之后，在对台板施加偏压的状态下在该腔中运行氩气等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种在电感耦合等离子体腔内的台板上蚀刻连续的基片的方法，其中，蚀刻过程在所述腔内产生碳质沉积物，所述方法包括：(a)中断基片的蚀刻加工；(b)在所述腔内运行氧气等离子体或含氧等离子体，并去除气态副产物；以及(c)重新开始基片的所述蚀刻加工，其特征在于，所述方法进一步包括步骤：(d)在步骤(b)之后，在对所述台板施加偏压的状态下在所述腔内运行氩气等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
