[发明专利]含苯并二噻吩的聚芳基乙炔撑半导体材料

摘要

本发明涉及一种含苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩（BDT）的聚芳基乙炔撑（PAE）有机半导体材料及其应用，该类材料的具体特征是将修饰的苯并二噻吩以4，8-位引入到主链含炔键的共轭聚合物中，可应用于有机光电子器件（有机太阳能电池、有机场效应晶体管、有机发光器件、有机探测器等）领域。由于苯并二噻吩的平面性及炔键的刚性结构，这类材料表现出良好的光电转换性能，具有较好的应用前景。

主权项

1.一种含苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩（BDT）的聚芳基乙炔撑（PAE）有机半导体材料，其特征在于所述有机半导体材料结构式为：其中，R为氢原子或烷基链，其特征在于所述烷基链为具有1-22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链，其中一个或多个碳原子被氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、烯基、炔基、羰基、羧基、酯基、羟基、芳基、氰基、硝基取代；Ar为芳香基团；x、y分别为共轭聚合物中二乙炔基苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩单元与芳香基团Ar的相对含量；n为导电聚合物的聚合度。