[发明专利]横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法有效
| 申请号： | 201310277894.4 | 申请日： | 2013-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN103383959A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 郝跃;马晓华;汤国平;陈伟伟;赵胜雷 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和漏极，钝化层位于源极和漏极之间的势垒层上，该钝化层上开有栅槽，栅槽中设有栅极；势垒层采用AlGaN；缓冲层采用GaN，该缓冲层中设有按周期性排列的掩蔽层条，每两个掩蔽层条之间的间隔为纳米量级，以形成一维电子气。本发明与Si基和GaAs基一维电子气器件相比，由于采用材料特性突出的宽禁带半导体GaN，故具有很好的高温高压特性、频率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一维电子气器件。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 生长 电子 gan hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件，自下而上包括衬底（1）、缓冲层（2）、势垒层（4）、钝化层（8）和保护层（9）；势垒层（4）上的两端分别为源极（6）和漏极（7），钝化层（8）位于源极（6）和漏极（7）之间的势垒层（4）上，该钝化层（8）上开有栅槽，栅槽中设有栅极（5），其特征在于：所述的势垒层（4）采用AlGaN半导体材料；所述的缓冲层（2）采用GaN半导体材料，该缓冲层（2）中设有按周期性排列的掩蔽层条（3），每两个掩蔽层条（3）之间的间隔为纳米量级，以形成一维电子气。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310277894.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
